急傾斜チャネルと急峻haloを用いた0.1-μm完全空乏型SOI-MOSFET

文献

J-GLOBAL ID：200902156008830993 整理番号：02A0466547

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資料名：
巻： 49th 号： 2 ページ： 774 発行年： 2002年03月27日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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トランジスタ , 金属-絶縁体-半導体構造

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