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J-GLOBAL ID：200902158090076455   整理番号：02A0730533

H2ガス雰囲気中でレーザーアブレーション法により堆積したシリコンナノ結晶

Study of silicon nanocrystal prepared by pulsed laser ablation in H2 gas.
著者 (5件)：
松本公久

松本公久 について

(甲南大)

甲南大 について

, 
中川洋之

中川洋之 について

(甲南大)

甲南大 について

, 
稲田貢

稲田貢 について

(甲南大)

甲南大 について

, 
梅津郁朗

梅津郁朗 について

(甲南大)

甲南大 について

, 
杉村陽

杉村陽 について

(甲南大)

甲南大 について


資料名：
Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series  (Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series)

Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series について


巻： 49  号： 1  ページ： 17-23  発行年： 2002年07月25日 
JST資料番号： F0795A  ISSN： 1348-0383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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水素ガスを雰囲気ガスに用い,レーザアブレーション法による水素...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*レーザアブレーション

レーザアブレーション について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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圧力依存性

圧力依存性 について


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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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H2

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ガス雰囲気

ガス雰囲気 について

, 
レーザーアブレーション法

レーザーアブレーション法 について

, 
堆積

堆積 について

, 
シリコンナノ結晶

シリコンナノ結晶 について


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