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J-GLOBAL ID：200902160748127614   整理番号：94A0491641

DLTS法による遷移金属汚染Si結晶の深い不純物準位の評価

Characterization of deep levels in transition metal doped CZ cilicon by DLTS.

著者 (5件)： 栗田一成 (三菱マテリアル 中研) ,  村上義男 (三菱マテリアル 中研) ,  降屋久 (三菱マテリアル 中研) ,  新行内隆之 (三菱マテリアル 中研) ,  杉田圭 (三菱マテリアルシリコン)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 41st  号： Pt 2  ページ： 688  発行年： 1994年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： DLTS法 ,  遷移金属 ,  汚染 ,  Si結晶 ,  不純物準位 ,  評価