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J-GLOBAL ID：200902161794977440   整理番号：02A0849603

せり上げ素子分離を用いたボディコンタクト構造をもつ薄膜SOI-MOSFET

著者 (9件)： 山上滋春 (NEC シリコンシステム研) ,  Kり昭 (NEC シリコンシステム研) ,  若林整 (NEC シリコンシステム研) ,  LEE J-W (NEC シリコンシステム研) ,  斎藤幸重 (NEC シリコンシステム研) ,  小椋厚志 (NEC シリコンシステム研) ,  成広充 (NEC シリコンシステム研) ,  新井浩一 (R&Dサポートセ) ,  最上徹 (NEC シリコンシステム研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 63rd  号： 2  ページ： 801  発行年： 2002年09月24日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： せり上げ ,  素子分離 ,  ボディコンタクト ,  薄膜 ,  SOI ,  MOSFET