文献

J-GLOBAL ID：200902162071934200   整理番号：96A0967276

微細CMOSにおける低抵抗TiSi₂膜形成

Low-resistance TiSi2 Formation for 0.1.MU.m CMOS Devices.

著者 (5件)： 最上徹 (NEC) ,  若林整 (NEC) ,  斉藤幸重 (NEC) ,  辰巳徹 (NEC) ,  国尾武光 (NEC)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 0  ページ： 1222  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 微細 ,  CMOS ,  低抵抗 ,  膜形成