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J-GLOBAL ID：200902162387342372   整理番号：01A0546980

RFスパッタしたMRAM二重スピンバルブのGMRと保磁力に及ぼすポンプ時間の効果

Effects of Pumping Time on GMR and Coercivity of RF-Sputtered MRAM Dual Spin-Valves.

著者 (6件)： BAE S (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  MATSUSHITA N (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  ZURN S (Integrated Magnetoelectronics(IME) Co., MN, USA) ,  SHEPPARD L (Integrated Magnetoelectronics(IME) Co., MN, USA) ,  TOROK E J (Integrated Magnetoelectronics(IME) Co., MN, USA) ,  JUDY J H (Univ. Minnesota, MN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 36  号： 5,Pt.1  ページ： 2853-2856  発行年： 2000年09月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基底圧を5×10^-7Torrに保ちなが...

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,...
準シソーラス用語： MRAM【メモリ】

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分類 (3件)： その他の接合  (BM03088W) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： RFスパッタ ,  MRAM ,  スピンバルブ ,  GMR ,  保磁力