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J-GLOBAL ID：200902169902080119   整理番号：99A0708718

高密度に形成されたInAs/GaAs量子ドット集合体の発光特性

Photoluminescence study of high density InAs/GaAs quantum dot system.

著者 (5件)： 原邦彦 (甲南大) ,  VACCARO P O (ATR Adaptive Communications Res. Lab., Kyoto, JPN) ,  大西一洋 (甲南大) ,  梅津郁朗 (甲南大) ,  杉村陽 (甲南大)
資料名： Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series  (Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series)
巻： 46  号： 1  ページ： 35-42  発行年： 1999年07月25日 
JST資料番号： F0795A  ISSN： 1348-0383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InAs/GaAs自己形成型量子ドットを作製し,ドット密度と...

シソーラス用語： *量子ドット ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  集合体 ,  発光特性