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J-GLOBAL ID：200902170452945775   整理番号：96A0045469

TiSi₂膜形成におけるSi表面アモルファス化の効果とSEDAM法

Si-Surface Amorphization Effects and SEDAM Method for Low-Resistance TiSi₂ Film Formation.

著者 (5件)： 若林整 (NEC マイクロエレクトロニクス研) ,  斎藤幸重 (NEC マイクロエレクトロニクス研) ,  松木武雄 (NEC マイクロエレクトロニクス研) ,  最上徹 (NEC マイクロエレクトロニクス研) ,  国尾武光 (NEC マイクロエレクトロニクス研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 95  号： 382(ICD95 173-183)  ページ： 77-83  発行年： 1995年11月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 微細CMOSのサリサイドプロセスで必要とされる低抵抗TiSi...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： 非晶質化

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• LAU, C. K. Titanium Disilicide Self-Aligned Source/Drain+Gate Technology. IEDM Tech. Dig., 1982. 1982, 714
• DAVARI, B. IEEE. 1992, ED-39, 4, 967
• BEYERS, Robert. Titanium disilicide formation on heavily doped silicon substrates. J. Appl. Phys. 1987, 61, 11
• GAMBINO, J. P. The Resistance and Morphology of Submicron TiSi_2 and CoSi_2 Lines on Polysilicon. Abstract of ECS fall meeting, 1992. 1992, 312
• SAKAI, I. A New Salicide Process (PASET) for Sub half Micron CMOS. Digest of VLSI Symp., 1992. 1992, 66

タイトルに関連する用語 (3件)： 膜形成 ,  Si ,  アモルファス化