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J-GLOBAL ID：200902177733993900   整理番号：94A0902784

DIET法による細線上低抵抗TiSi₂膜形成

New Titanium Salicide Process(DIET) for Sub-Quarter Micron CMOS.

著者 (7件)： 若林整 (NEC) ,  石上隆司 (NEC) ,  中村弘幸 (NEC) ,  堀内忠彦 (NEC) ,  最上徹 (NEC) ,  国尾武光 (NEC) ,  奥村孝一郎 (NEC)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 55th  号： 2  ページ： 666  発行年： 1994年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： 細線 ,  低抵抗 ,  膜形成