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J-GLOBAL ID：200902180451428896   整理番号：99A0581233

Si/TiNバッファ膜を用いた低抵抗・高耐熱性W/pn-poly-Si Gate CMOS

An Ultra-Low Resistance and Thermally Stable W/pn-Poly-Si Gate CMOS Technology.

著者 (6件)： 若林整 (NEC) ,  山本豊二 (NEC) ,  吉田和由 (NEC) ,  曽田栄一 (NEC) ,  徳永賢一 (NEC) ,  最上徹 (NEC)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 59th  号： 2  ページ： 790  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  TiN ,  バッファ ,  低抵抗 ,  高耐熱性 ,  PN ,  CMOS