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J-GLOBAL ID：200902185604326330   整理番号：96A0879067

SEDAMプロセスにおけるSEG-Si膜のpit抑制と低抵抗TiSi₂膜形成

Suppression of pit formation in SEG-Si film and formation of low-resistance TiSi2 film using SEDAM process.

著者 (4件)： 若林整 (NEC) ,  安藤岳 (NEC) ,  最上徹 (NEC) ,  辰巳徹 (NEC)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 2  ページ： 587  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： プロセス ,  Si膜 ,  PIT ,  低抵抗 ,  膜形成