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J-GLOBAL ID：200902188959772232   整理番号：99A0706557

0.1μmトランジスタ革新 低抵抗ポリメタルゲートトランジスタ W/a-Si/TiN/pn-poly-Siシート抵抗1Ω/□を実現

The innovation of 0.1μm transistor. Low resistance poly-metal gate technologies.

著者 (1件)： 若林整 (NEC シリコンシステム研)
資料名： 月刊Semiconductor World  (月刊セミコンダクターワールド)
巻： 18  号： 7  ページ： 73-78  発行年： 1999年07月 
JST資料番号： Y0509A  ISSN： 0286-5025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： DRAM混載ロジックLSI用の高耐熱,低抵抗ゲート電極として...

シソーラス用語： *トランジスタ ,...
準シソーラス用語： ポリサイド ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： トランジスタ ,  低抵抗 ,  Si ,  TiN ,  PN ,  シート抵抗