LD励起受動QスイッチNd:YAGマイクロチップレーザーの開発  尖頭値および安定性の改善

酒井博; 曽根明弘; 菅博文; 平等拓範

文献

J-GLOBAL ID：200902189681758264 整理番号：02A0951320

LD励起受動QスイッチNd:YAGマイクロチップレーザーの開発尖頭値および安定性の改善

Development of diode-pumped passively Q-switched Nd:YAG microchip lasers. Improvement of the peak power and the stability.

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巻： 102 号： 386(LQE2002 122-129) ページ： 31-34 発行年： 2002年10月18日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

受動Qスイッチ固体レーザーは,小型で簡便であるため,科学から...

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固体レーザ , レーザ一般

引用文献 (4件)：

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LD励起受動QスイッチNd:YAGマイクロチップレーザーの開発 尖頭値および安定性の改善

LD励起受動QスイッチNd:YAGマイクロチップレーザーの開発尖頭値および安定性の改善