文献
J-GLOBAL ID：200902191490238710   整理番号：95A1009353

a-Si:H薄膜堆積条件とTFT特性

Deposition Condition of a-Si:H thin films and TFT characteristics.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A1009353&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}
著者 (4件)：
小林均教

小林均教 について

(東京理大 基礎工)

東京理大 基礎工 について

, 
斉藤瑞穂

斉藤瑞穂 について

(東京理大 基礎工)

東京理大 基礎工 について

, 
梅津郁朗

梅津郁朗 について

(東京理大 基礎工)

東京理大 基礎工 について

, 
前田敬二

前田敬二 について

(東京理大 基礎工)

東京理大 基礎工 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 56th  号： 2  ページ： 770  発行年： 1995年08月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
Si

Si について

, 
薄膜

薄膜 について

, 
堆積

堆積 について

, 
TFT

TFT について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM