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J-GLOBAL ID：200902192339016079   整理番号：94A0902731

DLTS法による遷移金属添加Si結晶の深い不純物準位の評価 (II)

Characterization of deep levels in transition metal doped CZ silicon by DLTS.

著者 (4件)： 栗田一成 (三菱マテリアル) ,  村上義男 (三菱マテリアル) ,  降屋久 (三菱マテリアル) ,  新行内隆之 (三菱マテリアル)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 55th  号： 2  ページ： 643  発行年： 1994年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： DLTS法 ,  遷移金属 ,  Si結晶 ,  不純物準位 ,  評価