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J-GLOBAL ID：200902192837539453   整理番号：96A0347442

GaInAs/InP DHBTのコレクタとサブコレクタのアンダカットによるベース-コレクタ容量の減少

Reduction of Base-Collector Capacitance by Undercutting the Collector and Subcollector in GaInAs/InP DHBT’s.

著者 (4件)： MIYAMOTO Y (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  RIOS J M M (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  DENTAI A G (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  CHANDRASEKHAR S (AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 17  号： 3  ページ： 97-99  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンダカット構造になるように外因性ベース領域の下の半導体層を...

シソーラス用語： 静電容量 ,...
準シソーラス用語： 複合サブコレクタ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaInAs ,  InP ,  DHBT ,  コレクタ ,  サブ ,  アンダカット