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J-GLOBAL ID：200902197625149088   整理番号：97A0461544

熱処理によって形成される表面近傍欠陥のDLTSによる評価

Characterization of surface layer defects associated with thermal treatment in CZ silicon crystal by DLTS.

著者 (2件)： 栗田一成 (三菱マテリアルシリコン) ,  新行内隆之 (三菱マテリアルシリコン)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 44th  号： 1  ページ： 246  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱処理 ,  近傍 ,  欠陥 ,  DLTS ,  評価