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J-GLOBAL ID：200902200177991113   整理番号：03A0655450

X線マイクロビームを用いたELO-GaNの結晶構造解析

著者 (9件)： 宮嶋孝夫 (ソニー CT開発本部) ,  竹谷元伸 (ソニー白石セミコンダクタ) ,  後藤修 (ソニー白石セミコンダクタ) ,  冨谷茂隆 (ソニー 解析技セ) ,  竹田晋吾 (姫工大 院理学研究科) ,  栗原英明 (姫工大 院理学研究科) ,  渡辺経子 (姫工大 院理学研究科) ,  加藤まどみ (姫工大 院理学研究科) ,  松井純爾 (姫工大 院理学研究科)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 1  ページ： 288  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： X線マイクロビーム ,  GaN ,  結晶構造解析