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J-GLOBAL ID：200902201103663072   整理番号：07A0770973

極薄BOXを備えた短チャネル完全空乏型SOI MOSFETにおけるパラメータ変動とランダムドーパントゆらぎの影響

Impact of Parameter Variations and Random Dopant Fluctuations on Short-Channel Fully Depleted SOI MOSFETs With Extremely Thin BOX

著者 (3件)： OHTOU Tetsu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGII Nobuyuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 28  号： 8  ページ： 740-742  発行年： 2007年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FD(完全空乏)SOI(シリコンオンインシュレータ)MOSF...

シソーラス用語： 超薄膜 ,...
準シソーラス用語： *デバイスシミュレーション ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (7件)： BOX ,  短チャネル ,  完全空乏型SOI ,  MOSFET ,  パラメータ変動 ,  ドーパント ,  ゆらぎ