薄い埋め込み酸化物上シリコン相補型金属-酸化物-半導体における閾値電圧変動の評価及びスタンバイ漏れ電流の減少に及ぼすその影響

SUGII Nobuyuki; TSUCHIYA Ryuta; ISHIGAKI Takashi; MORITA Yusuke; YOSHIMOTO Hiroyuki; IWAMATSU Toshiaki; ODA Hidekazu; INOUE Yasuo; HIRAMOTO Toshiro; KIMURA Shin’ichiro

文献

J-GLOBAL ID：200902201124328745 整理番号：09A0458523

薄い埋め込み酸化物上シリコン相補型金属-酸化物-半導体における閾値電圧変動の評価及びスタンバイ漏れ電流の減少に及ぼすその影響

Evaluation of Threshold-Voltage Variation in Silicon on Thin Buried Oxide Complementary Metal-Oxide-Semiconductor and Its Impact on Decreasing Standby Leakage Current

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資料名：
巻： 48 号： 4,Issue 2 ページ： 04C043.1-04C043.5 発行年： 2009年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

薄い埋め込み酸化物上シリコン(SOTB)相補型金属-酸化物-半導体(CMOS)トランジスタの閾値電圧(V_th)変動,及び漏れ電流の変動を低減することの影響を研究した。絶縁体上シリコン(SOI)における不純物濃度の低減,及びハロー注入無しでの短チャネル効果の抑制の両方が,V_th変動の低減に不可欠であった。金属ゲートを用いることも効果的であった。完全ケイ素化(FUSI)金属ゲートをもつSOTBのV_th(σV_th)の標準偏差は,同ゲートサイズのバルクに関するそれの半分であった。この改善は,65nm技術において,多数のトランジスタについて総計したオフ状態漏れ電流を半分まで低減できた。ゲート長の更なるスケーリングにより,この効果は高められた。小σV_thのSOTBは,高スケールLSIにおける漏れ電流低減に強い影響を及ぼした。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ , 金属-絶縁体-半導体構造 , その他の無機化合物の薄膜 , 固体デバイス計測・試験・信頼性

引用文献 (13件)：

T. C. Chen: IEEE Int. Solid-State Circuits Conf., 2006, p. 1.
A. Asenov: VLSI Tech. Dig., 2007, p. 86.
R. Tsuchiya, M. Horiuchi, S. Kimura, M. Yamaoka, T. Kawahara, S. Maegawa, T. Ipposhi, Y. Ohji, and H. Matsuoka: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 631.
T. Ishigaki, R. Tsuchiya, Y. Morita, N. Sugii, S. Kimura, T. Iwamatsu, T. Ipposhi, Y. Inoue, and T. Hiramoto: Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)2585.
Y. Morita, R. Tsuchiya, T. Ishigaki, N. Sugii, T. Iwamatsu, T. Ipposhi, H. Oda, Y. Inoue, K. Torii, and S. Kimura: VLSI Tech. Dig., 2008, p. 166.

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