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J-GLOBAL ID：200902201176014773   整理番号：09A0424936

GAA SOI MOSFET高性能化手法の検討(1)ソース領域の縦方向電界制御

著者 (6件)： 仲野駿佑 (関西大 シス理工) ,  林修徳 (関西大 シス理工) ,  大村泰久 (関西大 シス理工) ,  大村泰久 (ORDIST) ,  山川真弥 (ソニー 厚木TEC) ,  若林整 (ソニー 厚木TEC)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 2  ページ： 902  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  ソース【半導体】 ,  電場 ,  制御 ,  長さ ,  電流電圧特性 ,  ドレイン【半導体】 ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： *GAA-MOSFET ,  チャネル長

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SOI ,  MOSFET ,  高性能化 ,  手法 ,  ソース ,  縦方向 ,  電界制御