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J-GLOBAL ID：200902201395767922   整理番号：06A0753228

パルスレーザーアブレーション法を用いて作製した水素終端Siナノチェーンにおけるホッピング伝導

著者 (9件)： 山本裕 (甲南大 理工) ,  稲田貢 (関西大 工) ,  上田里永子 (情報通信研究機構 関西先端研究セ) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテク研) ,  田中秀吉 (情報通信研究機構 関西先端研究セ) ,  齊藤正 (関西大 工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテク研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 67th  号： 3  ページ： 1263  発行年： 2006年08月29日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： パルスレーザ照射 ,...
準シソーラス用語： *ナノチェーン

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルスレーザーアブレーション法 ,  作製 ,  水素終端 ,  Si ,  ナノチェーン ,  ホッピング伝導