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J-GLOBAL ID：200902205644632310   整理番号：09A1003048

先端CMOS高性能化の進展と今後の課題

著者 (1件)： 若林整 (ソニー)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 0  ページ： 98  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  CMOS構造 ,  半導体集積回路 ,  短チャネル効果 ,  分散【variance】 ,  半導体プロセス ,  格子歪 ,  ゲート【半導体】 ,  閾値電圧 ,  *ナノデバイス ,  MOS構造
準シソーラス用語： *ナノ素子 ,  ダマシン

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： CMOS ,  高性能化 ,  進展