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J-GLOBAL ID：200902206079160988   整理番号：04A0689383

顕微分光法によるInGaNナノ構造の発光機構解明

著者 (9件)： 川上養一 (京大 大学院) ,  金田昭男 (京大 大学院) ,  西塚幸司 (京大 大学院) ,  小島一信 (京大 大学院) ,  ZHU Y (京大 大学院) ,  山田大輔 (京大 大学院) ,  MICHELETTO R (京大 大学院) ,  成川幸男 (日亜化学工業) ,  向井孝志 (日亜化学工業)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 0  ページ： 25  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 顕微分光法 ,  InGaN ,  ナノ構造