文献

J-GLOBAL ID：200902207644942860   整理番号：08A0425967

可動ゲートを有するナノワイヤMOSFETと室温動作単電子トランジスタにおける特性変調

著者 (9件)： PARK Jongsin (東大 生産技研) ,  宮地幸祐 (東大 生産技研) ,  更屋拓哉 (東大 生産技研) ,  肥後昭雄 (東大 生産技研) ,  高橋一浩 (東大 生産技研) ,  清水健 (東大 生産技研) ,  YI Yuheon (東大 生産技研) ,  年吉洋 (東大 生産技研) ,  平本俊郎 (東大 生産技研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 2  ページ： 912  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *単一電子トランジスタ ,  電流電圧特性 ,  ナノワイヤ ,  室温 ,  性質 ,  ゲート【半導体】 ,  単一電子トンネル効果 ,  閾値 ,  可動性
準シソーラス用語： Coulomb振動

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  ナノワイヤ ,  MOSFET ,  室温 ,  単電子トランジスタ ,  変調