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J-GLOBAL ID：200902208054064588   整理番号：09A0136174

改良した分割容量電圧法で取出した(100)配向SOI基板上の珪素gate-all-around[100]-及び[110]-指向性ナノワイヤMOSFETの電子移動度

Electron Mobility in Silicon Gate-All-Around [100]- and [110]-Directed Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor on (100)-Oriented Silicon-on-Insulator Substrate Extracted by Improved Split Capacitance-Voltage Method

著者 (5件)： CHEN Jiezhi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takura (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIYAJI Kousuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 1  ページ： 011205.1-011205.4  発行年： 2009年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100)配向SOI基板上の珪素gate-all-around[100]-及び[110]-指向性ナノワイヤMOSFETの電子移動度を実験で調べた。正確な電子移動度測定を目標に,改良した分割容量電圧法を用いて寄生電気抵抗と静電容量を排除した。正確な分子移動度を始めて測定し,(100)塊普遍曲線に近い高い電子移動度を示した。[100]指向性ナノワイヤの電子移動度は普遍曲線から大きく劣化した。(100)配向SOI基板上のナノワイヤの移動度特性の物理的基本機構も調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *SOI構造 ,  ナノワイヤ ,  *MOSFET ,  キャリア移動度 ,  ケイ素 ,  結晶方位 ,  *容量電圧特性 ,  電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• G. Tsutsui, M. Saitoh, T. Saraya, T. Nagumo, and T. Hiramoto: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 729.
• K. Uchida, A. Kinoshita, and M. Saitoh: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 1019.
• G. Tsutsui and T. Hiramoto: Jpn. J. Appl. Phys.46(2007)5686.
• G. Tsutsui and T. Hiramoto: IEEE Trans. Electron Devices 53(2006)2582.
• T. Rudenko, V. Kilchytska, N. Collaert, S. D. Gendt, R. Rooyackers, M. Jurczak, and D. Flandre: Proc. ESSDERC, 2005, p. 85.

タイトルに関連する用語 (8件)： 配向 ,  SOI基板 ,  珪素 ,  ALL ,  指向性 ,  ナノワイヤ ,  MOSFET ,  電子移動度