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J-GLOBAL ID：200902208596851110   整理番号：08A0023068

五酸化バナジウム/銅フタロシアニン積層電界効果トランジスタの作製と特性評価

Fabrication and Evaluation of copper phthalocyanine Field-effect Transistors with Vanadium oxide layers

著者 (8件)： 北村翔平 (新潟大 大学院自然科学研究科) ,  高橋俊明 (新潟大 大学院自然科学研究科) ,  皆川正寛 (新潟大 大学院自然科学研究科) ,  大平泰生 (新潟大 大学院自然科学研究科) ,  馬場暁 (新潟大 大学院自然科学研究科) ,  新保一成 (新潟大 大学院自然科学研究科) ,  加藤景三 (新潟大 大学院自然科学研究科) ,  金子双男 (新潟大 大学院自然科学研究科)
資料名： 電気電子絶縁材料システムシンポジウム予稿集  (Proceedings of the Symposium on Electrical and Electronic Insulating Materials and Applications in Systems)
巻： 38th  ページ： 63-66  発行年： 2007年11月20日 
JST資料番号： G0398B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 五酸化バナジウム ,  銅フタロシアニン ,  電界効果トランジスタ ,  作製 ,  特性評価