文献

J-GLOBAL ID：200902209154808840   整理番号：04A0692920

カソードルミネッセンス法によるSTIプロセスの評価 (I)-Si系半導体への適用-

著者 (8件)： 杉江隆一 (東レリサーチセ) ,  松田景子 (東レリサーチセ) ,  永井直人 (東レリサーチセ) ,  味岡恒夫 (東レリサーチセ) ,  吉川正信 (東レリサーチセ) ,  水越俊和 (宮城沖電気) ,  葉章二 (沖電気工業) ,  渋沢勝彦 (沖電気工業)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 2  ページ： 744  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0692920&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： カソードルミネッセンス ,  STI ,  プロセス ,  評価 ,  Si