LD励起受動Qスイッチマイクロチップレーザーの高輝度化

酒井博; 曽根明弘; 菅博文; 平等拓範

文献

J-GLOBAL ID：200902209596477265 整理番号：04A0494627

LD励起受動Qスイッチマイクロチップレーザーの高輝度化

Diode-pumped passively Q-switched high-brightness microchip lasers

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=04A0494627&COPY=1") }}
このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ） {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0494627&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 104 号： 98(LQE2004 1-15) ページ： 23-27 発行年： 2004年05月28日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

可飽和吸収体としてCr⁴⁺:YAGを用...

,...

このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ） {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0494627&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

固体レーザ , レーザ一般

引用文献 (3件)：

PAVEL, N. High average power diode end-pumped composite Nd : YAG laser passively Q-switched by Cr : YAG saturrable absorber. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, 1253-1259
DEGNAN, J. J. Theory of the optimally coupled Q-switched laser. IEEE J. Quantum Electron. 1989, 25, 2, 214-220
SATO, Y. Spectroscopic properties of heavily Nd^<3+>-doped GGG and NdGG single crystals. OSA Topical meeting on Advanced Solid-State Photonics 2004, Santa Fe, New Mexico. 2004

, , , ,

前のページに戻る