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J-GLOBAL ID：200902210773457677   整理番号：09A1081102

微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの原子構造と光学特性解析

著者 (7件)： 出浦桃子 ,  近藤佳幸 ,  星井拓也 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  中野義昭 ,  杉山正和
資料名： 化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  (化学工学会秋季大会(CD-ROM))
巻： 41st  ページ： A105  発行年： 2009年08月16日 
JST資料番号： L0827B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOCVD ,  選択成長 ,  エピタクシー ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  原子構造 ,  光ルミネセンス ,  表面構造 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  シリコンウエハ ,  構造
準シソーラス用語： 珪素基板

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 微小領域 ,  MOVPE ,  Si ,  InGaAs ,  原子構造 ,  光学特性 ,  解析