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J-GLOBAL ID：200902212060104963   整理番号：07A0517769

<100>有向(110)配向軸pMOSFETにおける移動度普遍性の破壊に対する実験的研究

Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in 〈100〉-Directed (110)-Oriented pMOSFETs

著者 (5件)： SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Meguro, JPN) ,  TSUTSUI Gen (Univ. Tokyo, Meguro, JPN) ,  JANUAR Doni (Univ. Tokyo, Meguro, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Meguro, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Meguro, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 6  号： 3  ページ： 358-361  発行年： 2007年05月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の(100)配向軸pMOSFETに対し,卓越した移動度の...

シソーラス用語： *結晶方位 ,...
準シソーラス用語： (110)/<100> ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 配向軸 ,  pMOSFET ,  移動度 ,  普遍性 ,  破壊 ,  実験的研究