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J-GLOBAL ID：200902212110482573   整理番号：09A1072508

(110)SOI上の多重シリコンナノワイヤ・ゲートオールアラウンドpMOSFETの高正孔移動度

High Hole Mobility in Multiple Silicon Nanowire Gate-All-Around pMOSFETs on (110)SOI

著者 (3件)： CHEN Jiezhi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2009  ページ： 74-75  発行年： 2009年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siナノワイヤ(NW)MOSFETの(100)や(110)SOI構造上での諸特性に対する関心,特にキャリア移動度の挙動に関心が集まっている。電子移動度に関するデータはあるが,ホール移動度に関するデータは限定されている。この論文では,NWの輸送特性を解明するため(110)SOI構造上に作製したNWゲートオールアラウンドpMOSFETの実験と理論的検討を,[110]と[100]方位の一軸引張応力の影響を含め,室温から40Kまで行なった。[110]方位のNWで[100]方位のNWより高いホール移動度が観測され,高い反転密度領域で広いNW幅から狭いNW幅に対し無視できないホール移動度の劣化を示した。pMOSFETの一軸引張応力の影響も検討し,NW中のホール移動度を変調するのに効果があることを示した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  キャリア移動度 ,  *ナノワイヤ ,  *素子構造 ,  *SOI構造 ,  引張応力 ,  温度依存性 ,  結晶方位 ,  一軸 ,  反転層 ,  測定データ ,  *正孔移動度 ,  *ゲートオールアラウンド構造
準シソーラス用語： *ゲートオールアラウンド ,  理論解析

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  多重 ,  シリコンナノワイヤ ,  ゲートオールアラウンド ,  pMOSFET ,  正孔移動度