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J-GLOBAL ID：200902212837813742   整理番号：09A0400892

Si上InGaAsの微小領域選択MOVPEにおける横方向成長促進と均一性向上

著者 (6件)： 出浦桃子 ,  星井拓也 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  中野義昭 ,  杉山正和
資料名： 化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  (化学工学会年会(CD-ROM))
巻： 74th  ページ： A114  発行年： 2009年02月18日 
JST資料番号： X0547B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  ケイ素 ,  横方向 ,  成長促進 ,  均一性 ,  領域
準シソーラス用語： InGaAs ,  *MOVPE ,  微小 ,  向上

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  InGaAs ,  微小領域 ,  MOVPE ,  横方向成長 ,  促進 ,  均一性