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J-GLOBAL ID：200902213931289875   整理番号：04A0693012

SOI-MOSFETにおける寄生バイポーラ効果によるGIDL電流の増幅

著者 (4件)： 山上滋春 (NEC システムデバイス研) ,  若林整 (NEC システムデバイス研) ,  竹内潔 (NEC システムデバイス研) ,  山本豊二 (NEC システムデバイス研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 2  ページ： 774  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： SOI構造 ,...
準シソーラス用語： 寄生効果

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  MOSFET ,  寄生 ,  バイポーラ ,  GIDL ,  増幅