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J-GLOBAL ID：200902214064230761   整理番号：07A1015270

パルスレーザーアブレーション法で作製したSiナノ結晶集合体の電子伝導機構

著者 (7件)： 宜保学 (甲南大 理工) ,  稲田貢 (関西大 システム理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテク研) ,  齊藤正 (関西大 システム理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテク研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 3  ページ： 1406  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *レーザアブレーション ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルスレーザーアブレーション法 ,  作製 ,  Si ,  ナノ結晶 ,  集合体 ,  電子伝導