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J-GLOBAL ID：200902214367474523   整理番号：09A0996433

断面UV-ラマン分光測定による高性能pMOSFETのチャネル歪評価

著者 (9件)： 赤松弘彬 (明治大) ,  武井宗久 (明治大) ,  小瀬村大亮 (明治大) ,  永田晃基 (明治大) ,  山川真弥 (ソニー) ,  黛哲 (明治大) ,  黛哲 (ソニー) ,  若林整 (ソニー) ,  小椋厚志 (明治大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 2  ページ： 803  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *紫外線 ,  *Ramanスペクトル ,  *歪 ,  ケイ化物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  窒化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  ケイ化ゲルマニウム

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (5件)： ラマン分光 ,  pMOSFET ,  チャネル ,  歪 ,  評価