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J-GLOBAL ID：200902214460047805   整理番号：06A0267654

ひずみSi MOSFETのゲートトンネル電流に与えるひずみの効果

著者 (4件)： 星井拓也 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  菅原聡 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  高木信一 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  高木信一 (東大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 2  ページ： 940  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： *ゲート電流

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ひずみ ,  Si ,  MOSFET ,  ゲート ,  トンネル電流