文献

J-GLOBAL ID：200902214576817250   整理番号：09A0484900

室温でのシリコンナノワイヤpMOSFET及び単一正孔トランジスタの一軸歪効果

Uniaxial Strain Effects on Silicon Nanowire pMOSFET and Single-Hole Transistor at Room Temperature

著者 (4件)： JEONG YeonJoo (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  CHEN Jiezhi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2008 Vol.2  ページ： 761-764  発行年： 2008年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFET移動度を増加する歪技術について広く調査されているが,ナノワイヤ(NW)FET及び単一正孔トランジスタ(SHT)はほとんど調査されていない。本稿では,シリコンNW pMOSFET及びSHTの室温での一軸歪効果を調査した。NW幅を1~20nmに変化した。一軸歪(~0.03%,~50Mpa)を,4点曲げ装置を用いて機械的に印加した。引張り歪及び圧縮歪が,NW pFETの移動度増加に有効であった。さらに歪効果はNW幅の細幅化で徐々に減少し,これは応力による細幅NW pFETで有効質量変調の減少に起因した。SHTの場合,歪誘起有効質量変調がトンネル確率及びエネルギー準位間隔を変化し,結果として発振電流を変調し,そしてI_d-V_gカーブをシフトした。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ナノワイヤ ,  ケイ素 ,  *トランジスタ ,  *正孔 ,  *格子歪 ,  歪 ,  移動度 ,  FET【トランジスタ】 ,  幅 ,  有効質量 ,  トンネル効果 ,  エネルギー準位 ,  圧縮歪 ,  引張歪 ,  線幅
準シソーラス用語： シリコン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  シリコンナノワイヤ ,  pMOSFET ,  単一正孔トランジスタ ,  一軸 ,  歪効果