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J-GLOBAL ID：200902215077396487   整理番号：08A1148541

(100)SOI上の[110]および[100]方向マルチプルシリコンナノワイヤGAA MOSFET移動度の実験的研究

Experimental Study of Mobility in [110]- and [100]-Directed Multiple Silicon Nanowire GAA MOSFETs on (100) SOI

著者 (5件)： CHEN Jiezhi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIYAJI Kousuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2008  ページ： 25-26  発行年： 2008年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノワイヤ(NW)MOSFETは,将来の高性能VLSI技術の有望な候補の一つとして近年注目されている。しかしながら,製造技術に制約されるため,NWの移動度特性に関する系統的な研究はまだ行われていない。本稿では,NW MOSFETにおけるキャリア輸送を詳細に解明するために,(100)SOI上の[110]および[100]方向マルチプルNWの電子移動度および正孔移動度をサブ10nmのNW幅まで正確に評価した。その結果,NW幅を縮小するにつれ[110]および[100]NWの移動度は単調に減少し,[100]NWの電子移動度は,[110]の移動度に近づくことが分かった。この移動度特性は,ダブルエッジnFETにおけるサブバンド変調によることを明らかにした。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  超LSI ,  結晶方位 ,  輸送現象 ,  キャリア輸送 ,  正孔移動度 ,  電子移動度
準シソーラス用語： VLSI ,  シリコン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  マルチプル ,  シリコンナノワイヤ ,  MOSFET ,  移動度 ,  実験的研究