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J-GLOBAL ID：200902216217863834   整理番号：07A0382847

反応性ガス中でのパルスレーザーアブレーションによるSiナノ結晶の生成過程

著者 (5件)： 中山佑介 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテク研) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテク研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 3  ページ： 1209  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *微結晶 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性ガス ,  パルスレーザーアブレーション ,  Si ,  ナノ結晶 ,  過程