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J-GLOBAL ID：200902217519531071   整理番号：09A0890057

埋め込みワイヤグリッド構造を利用した偏光計測CMOSイメージセンサ

Polarization-analyzing CMOS image sensor with embedded wire-grid structures

著者 (5件)： 徳田崇 (奈良先端科学技術大学院大) ,  山田博文 (奈良先端科学技術大学院大) ,  下畠弘也 (奈良先端科学技術大学院大) ,  笹川清隆 (奈良先端科学技術大学院大) ,  太田淳 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 33  号： 30(IST2009 36-45)  ページ： 17-20  発行年： 2009年07月24日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標準CMOSプロセスにおける配線層によって形成したオンチップ偏光子による偏光計測画素を提案し,これを用いたイメージセンサ型偏光分析CMOSセンサを設計・試作・評価した。試作したセンサにおいて偏光特性が得られることを実験的に確認した。入射光の波長と偏光子のグリッド構造のピッチの相対関係により偏光選択比は小さいが,イメージセンサ型の利点を生かした多数の計測データからの推定によって,リアルタイムに高精度な偏光角検出が可能であることを実証した。(著者抄録)

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  *CMOS構造 ,  偏光計 ,  画素 ,  偏光 ,  計測システム ,  実時間処理 ,  端末装置 ,  偏光角 ,  *CMOSイメージセンサ ,  センサノード ,  *MOS構造

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (3件)：

• RAYNOR, J. Polarization sensitive solid state image sensor including integrated photodetector and polarizing assembly and associated methods. US patent 7186968. 2007
• YANG, Z. Y. Broadband nanowire-grid polarizers in ultraviolet-visible-near-infrared regions. Optics Express. 2007, 15, 9510-9519
• TOKUDA. Polarization-analyzing CMOS photosensor with monolithically embedded wire grid polarizer. Electronics Letters. 2009, 45, 228

タイトルに関連する用語 (5件)： 埋め込み ,  ワイヤグリッド ,  偏光 ,  計測 ,  CMOSイメージセンサ