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J-GLOBAL ID：200902217670384935   整理番号：05A0027960

電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(4)MgドープGaNエピタキシャル膜におけるピラミッド状微小欠陥

著者 (1件)： 冨谷茂隆 (ソニーEMCS 解析技セ)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 43  号： 12  ページ： 1030  発行年： 2004年12月20日 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN系半導体にMgドープした時に形成される微小欠陥形成につ...

シソーラス用語： 電子顕微鏡観察 ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (3件)：

• TOMIYA, S. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003, 743, 839
• 桑野範之. 顕微鏡. 2002, 37, 194
• TOMIYA, S. Proceedings of 8APEM, 2004. 2004, 467

タイトルに関連する用語 (11件)： 電子顕微鏡法 ,  開発 ,  微細構造 ,  研究 ,  Mg ,  ドープ ,  GaN ,  エピタキシャル膜 ,  ピラミッド ,  微小 ,  欠陥