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J-GLOBAL ID：200902218420436049   整理番号：09A0458450

45nm及びそれを超えた技術における金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの閾値電圧変動の正確な予測に関するランダムドーパントゆらぎの考察

Consideration of Random Dopant Fluctuation Models for Accurate Prediction of Threshold Voltage Variation of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors in 45nm Technology and Beyond

著者 (6件)： PUTRA Arifin Tamsir (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIDA Akio (Selete, Ibaraki, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (Selete, Ibaraki, JPN) ,  TSUNOMURA Takaaki (Selete, Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Selete, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 4,Issue 1  ページ： 044502.1-044502.5  発行年： 2009年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Coulombポテンシャルに関する良く知られた二つのドーパントモデル,原子論モデル及び長範囲モデル,を,45nm及びそれを超える技術ノードにおいて,素子パラメータを用いて比較した。原子論モデルは,メッシュ間隔及び基板ドーパント濃度への平均閾値電圧の受け入れ難い依存性を示し,長範囲モデルがこれらの因子への最小の依存性を示すことを見出した。結果として,原子論モデルは,ランダム閾値電圧変動に関する最も重要なパラメータの一つであるTakeuchi係数B_VTをひどく過評価した。長範囲モデルが,将来の積極的にスケールされた金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)におけるランダム変動の予測に関してより適していることを結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  電圧変動 ,  *ドーパント ,  *ゆらぎ ,  Coulombポテンシャル ,  *モデル ,  濃度依存性 ,  *閾値電圧

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (14件)：

• Y. Taur and T. H. Ning: Fundamentals of Modern VLSI Devices (Cambridge University Press, Cambridge, U. K., 1998) p. 202.
• T. Mizuno, J. Okamura, and A. Toriumi: IEEE Trans. Electron Devices 41(1994)2216.
• P. A. Stolk and D. B. M. Klaasen: IEDM Tech. Dig., 1996, p. 627.
• K. Takeuchi, T. Tatsumi, and A. Furukawa: IEDM Tech. Dig., 1997, p. 841.
• K. Takeuchi, A. Nishida, and T. Hiramoto: Silicon Nano-electronics Workshop (SNW), 2007, p. 7.

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  閾値電圧 ,  予測 ,  ドーパント ,  ゆらぎ