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J-GLOBAL ID：200902219077175575   整理番号：08A0996292

AlGaN/GaNを基本とするDC電圧を印加した表面音響波素子の可変高調波パスバンド動作

DC Variable Harmonic Pass Band Operation of AlGaN/GaN Surface Acoustic Wave Devices

著者 (4件)： HOHKAWA Kohji (Kanagawa Inst. of Technol., Kanagawa, JPN) ,  KOH Keishin (Kanagawa Inst. of Technol., Kanagawa, JPN) ,  NISHIMURA Kazumi (NTT Photonic Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (NTT Photonic Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 9 Issue 1  ページ： 7104-7107  発行年： 2008年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 線幅と線間隔の比の異なるAlGaN/GaNを基本とする表面音響波(SAW)素子について,SAWおよびSezawaモードのDCバイアスに依存する周波数特性および3.0GHzまでのより高い周波数モードを実験的に研究した。入力および出力のくし型トランスデューサ(IDT)にDCのバイアス信号を印加すると,IDT電極近傍の二次元電子ガス(2DEG)が変調され,多くのパスバンドが広帯域の周波数域に観測されることが分かった。これらのパスバンドは非常に興味深いDCバイアス依存性を持つ周波数特性を示すことが分かった。とくに,1.92および2.1GHzにおけるパスバンドは,0~-20VのDCバイアス電圧領域において顕著なオン/オフ・スイッチング動作を示すことが判明した。線幅と線間隔の比が同じであるAlGaN/GaN薄膜から成るSAW素子と比べた場合,線幅と線間隔の異なるITD電極は優れた高次モードの周波数応答を得るのに有効であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *弾性表面波素子 ,  帯域幅 ,  高調波 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  周波数特性 ,  二次元電子ガス ,  スイッチング ,  幅 ,  間隔 ,  変換器 ,  線幅 ,  通過帯域 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： パスバンド ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T)

引用文献 (9件)：

• P. Parikh, Y.-F. Wu, P. Chavarkar, M. Moore, U. K. Mishra, S. Sheppard, R. P. Smith, A. Saxler, J. Duc, W. Pribble, J. Milligan, and J. Palmour: Proc. Int. Symp. Compound Semiconductors, 2003, p. 164.
• L. F. Eastman: AIGaN/GaN Microwave Power HEMTs Device Research 57th Annu. Conf. Dig., 1999, p. 10.
• D. Ciplys, R. Rimeika, A. Sereika, R. Gaska, M. S. Shur, J. W. Yang, and M. A. Khan: Electron. Lett.37(2001)545.
• N. Shigekawa, K. Nishimura, and K. Hohkawa: Appl. Phys. Lett.87(2005)084102.
• F. Calle, J. Pedrós, T. Palacios, and J. Grajal: Phys. Status Solidi C 2(2005)976.

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  DC電圧 ,  印加 ,  表面音響波 ,  可変 ,  高調波 ,  パスバンド