文献

J-GLOBAL ID：200902220515225503   整理番号：09A0484899

室温及び低温での(110)及び(100)SOI上のマルチプルシリコンナノワイヤGAA nMOSFETの電子移動度

Electron Mobility in Multiple Silicon Nanowires GAA nMOSFETs on (110) and (100) SOI at Room and Low Temperature

著者 (3件)： CHEN Jiezhi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2008 Vol.2  ページ： 757-760  発行年： 2008年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール技術の進歩により,将来の素子構造候補の一つとしてナノワイヤ(NW)MOSFETが最近注目を集めている。しかし,製作と測定精度の制限により,NWの移動度挙動は明確に調査されていない。本稿では,(110)及び(100)SOI上のシリコンNW nMOSFETの精密な電子移動度を調査した。[110]/(110)NWの電子移動度が,(100)側壁からの寄付のために[100]/(110)NWより高いことを明らかにした。また,100Kの低温で[100]/(100)NWの測定を,NWの移動度劣化に影響する物理メカニズムを調査するために行った。特異なダブルピークを移動度挙動に観測し,ナノワイヤ幅の依存性を示した。これは,より細幅NWの表面粗さ散乱及びCoulomb散乱ににより生じた。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  SOI構造 ,  *MOSFET ,  素子構造 ,  ナノ構造 ,  表面粗さ ,  散乱 ,  Coulomb散乱 ,  *キャリア移動度 ,  ナノスケール ,  電子移動度
準シソーラス用語： nMOSFET ,  シリコン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  低温 ,  SOI ,  マルチプル ,  シリコンナノワイヤ ,  nMOSFET ,  電子移動度