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J-GLOBAL ID：200902221658277047   整理番号：09A1004233

Siナノ結晶集合体へのPイオンドープによるキャリア生成

著者 (9件)： 平田圭 (甲南大 理工) ,  吉田謙一 (イオンテクノセ) ,  稲田貢 (関西大 システム理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテク研) ,  長町信治 (イオンテクノセ) ,  齊藤正 (関西大 システム理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテク研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1283  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *ナノ結晶 ,  凝集体 ,  *リン ,  イオン注入 ,  *ドーピング ,  *キャリア生成 ,  レーザアブレーション ,  焼なまし ,  *二次イオン質量分析 ,  *ESR【磁気共鳴】 ,  置換型原子

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ナノ結晶 ,  集合体 ,  Pイオン ,  ドープ ,  キャリア生成