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J-GLOBAL ID：200902221955089080   整理番号：04A0344477

放射光X線回折法による歪みSi/SiGe/Si基板(市販)の格子歪み評価 (I)-広域構造

著者 (7件)： 福田一徳 (姫路工大 大学院) ,  冨田直弘 (姫路工大 大学院) ,  原伸英 (姫路工大 大学院) ,  津坂佳幸 (姫路工大 大学院) ,  篭島靖 (姫路工大 大学院) ,  松井純爾 (姫路工大 大学院) ,  小椋厚志 (NEC システムデバイス研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 2  ページ： 947  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 放射光X線回折 ,  歪み ,  Si ,  SiGe ,  Si基板 ,  格子歪み ,  評価 ,  広域