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J-GLOBAL ID：200902222006360259   整理番号：08A0557533

完全ケイ化NiSiゲート電極を特徴とするバルク相補型金属-酸化物-半導体で集積した薄い埋め込み酸化物上の広範囲しきい値電圧制御可能シリコン

Wide-Range Threshold Voltage Controllable Silicon on Thin Buried Oxide Integrated with Bulk Complementary Metal Oxide Semiconductor Featuring Fully Silicided NiSi Gate Electrode

著者 (9件)： ISHIGAKI Takashi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TSUCHIYA Ryuta (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MORITA Yusuke (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SUGII Nobuyuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KIMURA Shinichiro (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  IWAMATSU Toshiaki (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  IPPOSHI Takashi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  INOUE Yasuo (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 4 Issue 2  ページ： 2585-2588  発行年： 2008年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 45nm完全ケイ化(FUSI)NiSiゲートを有し超薄埋め込み酸化物(BOX)をもつ完全欠乏絶縁体上シリコン(FD SOI)素子,及びハイブリッドSOI/バルク相補型金属-酸化物-半導体(CMOS)集積プロセスを開発した。FUSIゲート薄いBOX上シリコン(SOTB)MOSFETにおける,低待機電力(LSTP)応用に対する最適しきい値電圧(V_th)を,軽ドープチャネルを維持しながら達成した。バックゲートバイアスを用いて,素子作製後に,素子電力及び性能の最適化及びV_th変動の低減を実証した。集積ハイブリッドバルクトランジスタの特性が従来のバルクトランジスタのそれと同程度であることも示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *CMOS構造 ,  *超薄膜 ,  *酸化物 ,  *埋込み【挿入】 ,  ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  *ゲート【半導体】 ,  *SOI構造 ,  最適化 ,  *ケイ化ニッケル ,  閾値電圧 ,  *MOS構造 ,  改変

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (8件)：

• T. Mizuno, J. Okumura, and A. Toriumi: IEEE Trans. Electron Devices 41(1994)2216.
• A. Asenov, S. Kaya, and A. R. Brown: IEEE Trans. Electron Devices 50(2003)1254.
• R. Tsuchiya, M. Horiuchi, S. Kimura, M. Yamaoka, T. Kawahara, S. Maegawa, T. Ipposhi, Y. Ohji, and H. Matsuoka: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 631.
• M. Fujiwara, T. Morooka, N. Yasutake, K. Ohuchi, N. Aoki, H. Tanimoto, M. Kondo, K. Miyano, S. Inaba, K. Ishimaru, and H. Ishiuchi: IEEE Int. SOI Conf., 2005, p. 180.
• C. Gallon. C. Fenouillet-Beranger, A. Vandooren, F. Boeuf, S. Monfray, E. Payer, S. Orain, V. Fiori, F. Salvetti, N. Loubet, C. Charbuillet, A. Toffoli, F. Allain, K. Romanjek, I. Cayrefourcq, B. Ghyselen, C. Mature, D. Deille, F. Judong, C. Perrot, M. Hopstaken, P. Scheblin, P. Rivallin, L. Brevard, O. Faynot, S. Cristoloveanu, and T. Skotnicki: IEEE Int. SOI Conf., 2006, p. 17.

タイトルに関連する用語 (8件)： ケイ化 ,  ゲート電極 ,  バルク ,  酸化物 ,  集積 ,  埋め込み ,  しきい値電圧 ,  シリコン