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J-GLOBAL ID：200902222639070969   整理番号：05A0605986

極薄の金属-酸化物-半導体電界効果トランジスターにおける移動度の振る舞いの普遍性に関する実験的研究

Experimental Study on the Universality of Mobility Behavior in Ultra Thin Body Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors

著者 (4件)： TSUTSUI Gen (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITOH Masumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGUMO Toshiharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 6A  ページ： 3889-3892  発行年： 2005年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,極薄(UTB)のシリコン-オン-インシュレータ...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• 1) Y. Omura, S. Horiguchi, M. Tabe and K. Kishi: IEEE Electron Device Lett. 14 (1993) 569.
• 2) H. Majima, Y. Saito and T. Hiramoto: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 733.
• 3) K. Uchida, H. Watanabe, A. Kinoshita, J. Koga, T. Numata and S. Takagi: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 47.
• 4) G. Tsutsui, T. Nagumo and T. Hiramoto: IEEE Trans. Nanotechnol. 2 (2003) 314.
• 5) J. Choi, Y. Park and H. Min: IEEE Electron Device Lett. 16 (1995) 527.

タイトルに関連する用語 (6件)： 極 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスター ,  移動度 ,  普遍性 ,  実験的研究