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J-GLOBAL ID：200902223406147119   整理番号：09A0294845

V₂O₅/CuPc積層電界効果トランジスタにおける混合層の挿入効果

著者 (7件)： 北村翔平 (新潟大) ,  皆川正寛 (新潟大) ,  大平泰生 (新潟大) ,  馬場暁 (新潟大) ,  新保一成 (新潟大) ,  加藤景三 (新潟大) ,  金子双男 (新潟大)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan)
巻： 2009  号： 2  ページ： 118  発行年： 2009年03月17日 
JST資料番号： S0653A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸化バナジウム ,  金属フタロシアニン ,  銅 ,  *FET【トランジスタ】 ,  積層構造 ,  混合層 ,  挿入 ,  効果 ,  有機材料

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： CuPc ,  電界効果トランジスタ ,  混合層